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高端覆铜板用球形二氧化硅微粉

浏览:7 发表时间:2020-07-19 17:19:58


     随着电子设备向小型化、薄型化、高性能和多层化方向发展,对半导体封装用填料提出了高耐热性、高尺寸稳定性和低切断点的要求。为了适应以上性能,解决方法之一是提高填料的填充量和控制D100( 颗粒累计体积百分数达到100%时,对应样品粒径)以达到上述要求。目前,国内多以进口日本亚微米球形二氧化硅微粉作为填料,制备应用于服务器和高端覆铜板产品。

     但是,亚微米球形二氧化硅微粉只有日本几家填料公司( Admatech、Denka等)才能生产,产品受其垄断,价格居高不下( 达100元/kg以上);另外,此类产品还存在交期长,贸易保护等风险。因此原料获取困难,且价格昂贵,原料成本高、风险大。

    为解决上述技术问题,本发明的目的在于提供一种生产方法简单、安全、成本低的高端覆铜板用球形二氧化硅微粉的制备方法,该球形二氧化硅微粉可以替代亚微米球形二氧化硅微粉作为高端覆铜板用的填料,且整体性能良好。

    一、选料:使用二氧化硅微粉作为原料,所述原料的平均粒径D50为2 .0-25μm,BET比表面积为0 .8m2/g-12m2/g;
    二、球化:以氧气作为载气,液化天然气为可燃气体、氧气为助燃剂,分别倒入反应容器中,点燃,球化,之后收集平均粒径D50为3-30μm的球形硅微粉;其中,液化天然气的流量为100-350Nm3/h,助燃剂的流量为60-400Nm3/h,载气的流量为170-300Nm3/h,给料频率为8-40Hz;
    三、精密分级:将步骤二中得到的硅微粉使用分级机进行分级,且分成以下四个等级:D50为2 .0-5 .0μm,D100为5 .0-12 .0μm;D50为4 .0-6 .0μm,D100为12 .0-20 .0μm;D50为5 .0-7 .5μm,D100为20 .0-30 .0μm;D50为10 .5-16 .0μm,D100为35 .0-55 .0μm;其中,白度均为92-99%,磁性物均小于2 .0ppm。

     采用上述技术方案,有益效果是:将二氧化硅微粉作为原料,经过高温球化,之后对球化过的微米级球形硅微粉进行精密分级,得出的球形二氧化硅微粉具有高耐热性、高尺寸稳定性以及低切断点的优点,另外,其填充量好,D100完全符合半导体封装用填料的使用要求,不仅整个生产过程简单、安全,而且原料成本低,用该方法生产出来的球形二氧化硅微粉作为高端覆铜板的填料生产出来的覆铜板,与使用日本进口的亚微米级二氧化硅微粉做为填料生产出来的覆铜板相比,性能相当,甚至在高端覆铜板的PCT板的制作成本大大降低。


 

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